Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок ISOPLUS-i4-PAK-5
- Количество каналов -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки 75 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 180 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Конфигурация -
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение HiPerFET, ISOPLUS i4-PAC
- Упаковка Tube
