198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SIZF920DT-T1-GE3

SIZF920DT-T1-GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAIR 6x5F-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 76 A, 197 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.07 mOhms, 1.05 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток - 16 V, 20 V, - 12 V, 16 V
  • Qg - заряд затвора 29 nC, 125 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 28 W, 74 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET; PowerPAK
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel