198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

DN2625DK6-G

DN2625DK6-G
  • Производитель: Microchip Technology
  • Описание:МОП-транзистор N-CHANNEL DEPLETION MODE
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок DFN-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V
  • Id - непрерывный ток утечки 1.1 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.5 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 7.04 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Depletion
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Tray