198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

VNB20N07-E

VNB20N07-E
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:МОП-транзистор N-Ch 70V 20A OmniFET
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-263-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки 20 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 50 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток -
  • Qg - заряд затвора 60 nC
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности 83 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация AEC-Q101
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Tube