Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-263-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Id - непрерывный ток утечки 110 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 150 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 480 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение HiPerFET
- Упаковка Tube
