IXTX550N055T2
- Производитель: IXYS
- Описание:МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR МОП-транзистор
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок PLUS-247
- Количество каналов -
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток -
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 1250 W
- Конфигурация -
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение HiPerFET
- Упаковка Tube
