CSD17313Q2Q1T
- Производитель: Texas Instruments
- Описание:МОП-транзистор Automotive 30-V N-Channel NexFET™ Power МОП-транзистор 6-WSON -55 to 150
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок WSON-FET-6
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, 8 V
- Qg - заряд затвора 2.1 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 17 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение NexFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
