STB100N6F7
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:МОП-транзистор N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in a D2PAK package
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-263-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 100 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.6 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 30 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 125 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение STripFET
- Упаковка Tube
