198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3
  • Производитель: Vishay
  • Описание:МОП-транзистор 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAIR-3x3S-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 61 A, 60 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.5 mOhms, 5.8 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток - 16 V, 20 V
  • Qg - заряд затвора 28 nC, 30 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 33 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel