198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Описание:МОП-транзистор Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SO-8
  • Количество каналов 4 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 1.8 A, 1.42 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms, 400 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 3.2 nC, 5.7 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 0.87 W
  • Конфигурация Quad
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel