QS8J11TCR
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор Dual P-Channel МОП-транзистор Transistor
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TSMT-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
- Id - непрерывный ток утечки 3.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 31 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
- Qg - заряд затвора 22 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1.5 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
