198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

VND7N04TR-E

VND7N04TR-E
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:МОП-транзистор N-Ch 42V 7A OmniFET
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-252-3
  • Количество каналов -
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 42 V
  • Id - непрерывный ток утечки 7 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 140 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток -
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности 60 W
  • Конфигурация -
  • Канальный режим -
  • Квалификация AEC-Q101
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel