198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

ZXMS6005DGQ-13

ZXMS6005DGQ-13
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Описание:МОП-транзистор Low Side IntelliFET
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-223-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 2 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 0.7 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток -
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Pd - рассеивание мощности 3 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация AEC-Q101
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel