198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SIHJ690N60E-T1-GE3

SIHJ690N60E-T1-GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор E Series Power МОП-транзистор
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAK-SO-8L
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
  • Id - непрерывный ток утечки 5.6 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 600 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
  • Qg - заряд затвора 8 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Конфигурация -
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel