198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAK-SO-8L-4
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
  • Id - непрерывный ток утечки 15 A, 9.5 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 45 mOhms, 146 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 9 nC, 12 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Pd - рассеивание мощности 27 W, 27 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация AEC-Q101
  • Коммерческое обозначение TrenchFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel