198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAIR-6x3.7-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
  • Id - непрерывный ток утечки 16 A, 35 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.8 mOhms, 3.3 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 18 nC, 60 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 27 W, 48 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel