198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

ZXMS6005DN8Q-13

ZXMS6005DN8Q-13
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Описание:МОП-транзистор Low Side IntelliFET
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SO-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 1.2 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 350 mOhms, 350 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 700 mV
  • Vgs - напряжение затвор-исток 5 V
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Pd - рассеивание мощности 1.56 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация AEC-Q101
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel