SIHB30N60E-GE3
- Производитель: Vishay / Siliconix
- Описание:МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-263-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
- Id - непрерывный ток утечки 29 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 125 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.8 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 85 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 250 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube