Технические характеристики
- Технология SiC
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок D2PAK-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
- Id - непрерывный ток утечки 66 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 35 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
- Qg - заряд затвора 51 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 250 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка -
