198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SQUN702E-T1_GE3

SQUN702E-T1_GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain МОП-транзистор Pair and 200 V N-Channel МОП-транзистор
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок Die
  • Количество каналов 3 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V, 200 V
  • Id - непрерывный ток утечки 20 A, 30 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V, 2.5 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 14 nC, 23 nC, 30.2 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Pd - рассеивание мощности 48 W, 60 W
  • Конфигурация Triple
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel