SH8M13GZETB
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор 4V Drive Nch+Pch Si МОП-транзистор
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOP-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 6 A, 7 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 22 mOhms, 21.5 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V, 2.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 5 nC, 18 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
