AUIRF1010EZS
- Производитель: Infineon / IR
- Описание:МОП-транзистор AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-263-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 84 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.5 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 58 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 140 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube
