198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SISS73DN-T1-GE3

SISS73DN-T1-GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор P-Channel 150 V (D-S) МОП-транзистор
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAK-1212-8
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Id - непрерывный ток утечки 16.2 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 125 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 14.6 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 65.8 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение PowerPAK
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel