198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

LND01K1-G

LND01K1-G
  • Производитель: Microchip Technology
  • Описание:МОП-транзистор Lateral N-Ch МОП-транзистор Depletion-Mode
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23-5
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 9 V
  • Id - непрерывный ток утечки 330 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.4 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 600 mV
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Pd - рассеивание мощности 360 mW
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Depletion
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel