TSM900N06CH X0G
- Производитель: Taiwan Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор 60V 11A N Channel Power Mosfet
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-251S-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 11 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 76 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 9.3 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 25 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube