TP2635N3-G P003
- Производитель: Microchip Technology
- Описание:МОП-транзистор P-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 350 V
- Id - непрерывный ток утечки 180 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 15 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel