198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

PGA26E19BA

PGA26E19BA
  • Производитель: Panasonic
  • Описание:МОП-транзистор МОП-транзистор 600VDC 190mohm X-GaN
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология GaN
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок DFN-8
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
  • Id - непрерывный ток утечки 13 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 190 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 2 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 69 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение X-GaN
  • Упаковка -