198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAK-SC70-6
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
  • Id - непрерывный ток утечки 12 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
  • Qg - заряд затвора 83 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 19 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel