ALD212900PAL
- Производитель: Advanced Linear Devices
- Описание:МОП-транзистор Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок PDIP-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 10 V
- Id - непрерывный ток утечки 79 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 14 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 20 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 10.6 V
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура 0 C
- Максимальная рабочая температура + 70 C
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Depletion
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube
