TSM10N80CI C0G
- Производитель: Taiwan Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор 800V 10A N Channel Power Mosfet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок ITO-220-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
- Id - непрерывный ток утечки 9.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 53 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube
