DMN10H120SFG-13
- Производитель: Diodes Incorporated
- Описание:МОП-транзистор FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerDI3333-8
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки 3.8 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 68 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 10.6 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
