198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Продукт каталога компонентов

DMN33D8LDW-7
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Описание:МОП-транзистор 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-363-6
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 250 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.4 Ohms, 2.4 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 1.23 nC, 1.23 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 350 mW
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться