Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
- Id - непрерывный ток утечки 7 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 430 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 14.5 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 60 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение DTMOSV
- Упаковка Cut Tape, Reel
