SCT50N120
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология SiC
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок HiP-247-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV
- Id - непрерывный ток утечки 65 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 52 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
- Qg - заряд затвора 122 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Pd - рассеивание мощности 318 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение HiP247â?¢
- Упаковка Tube
