198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Продукт каталога компонентов

TK100E10N1,S1X
  • Производитель: Toshiba
  • Описание:МОП-транзистор 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-220-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
  • Id - непрерывный ток утечки 207 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.4 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 140 nC
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение DTMOSIV
  • Упаковка Cut Tape, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться