SISH106DN-T1-GE3
- Производитель: Vishay / Siliconix
- Описание:МОП-транзистор 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerPAK1212-8
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 19.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.2 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
- Qg - заряд затвора 27 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 3.8 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
