198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

EM6M2T2R

EM6M2T2R
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Описание:МОП-транзистор 1.2V Drive Nch+Pch МОП-транзистор
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-563-6
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
  • Id - непрерывный ток утечки 200 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1 Ohms, 1.2 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 300 mV
  • Vgs - напряжение затвор-исток 4 V, - 4.5 V
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 150 mW
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel