198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

IFN412

IFN412
  • Производитель: InterFET
  • Описание:JFET N-Ch -20V JFET -5Vgs 10mA 375mW 3mW
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-71-6
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Конфигурация Dual
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 40 V
  • Ток стока при Vgs=0 5 mA
  • Id - непрерывный ток утечки -
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Pd - рассеивание мощности 375 mW
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Серия IFN411
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk