Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-52-3
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 15 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 25 V
- Ток стока при Vgs=0 30 mA
- Id - непрерывный ток утечки 10 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10 Ohms
- Pd - рассеивание мощности 300 mW
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия IFN543
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
