198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

IFN5196

IFN5196
  • Производитель: InterFET
  • Описание:JFET Dual JFET N-CH -50V 50mA 250mW 2.6mW
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-71-6
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Конфигурация Dual
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 50 V
  • Ток стока при Vgs=0 7 mA
  • Id - непрерывный ток утечки - 200 uA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Pd - рассеивание мощности 250 mW
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия IFN519
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk