Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18-3
- Полярность транзистора P-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 10 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 30 V
- Ток стока при Vgs=0 - 10 mA
- Id - непрерывный ток утечки 5 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Pd - рассеивание мощности 300 mW
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N26
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
