198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

2N5912

2N5912
  • Производитель: InterFET
  • Описание:JFET Dual JFET N-Ch -25V 50mA 500mW 4mW
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок SOIC-8
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Конфигурация Single
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 10 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 25 V
  • Ток стока при Vgs=0 40 mA
  • Id - непрерывный ток утечки -
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия -
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk