IGB50N65S5ATMA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-263-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
- Pd - рассеивание мощности 270 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия TRENCHSTOPâ?¢5
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
