198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

STGW60H65DF

STGW60H65DF
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-247
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
  • Pd - рассеивание мощности 360 W
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия STGW60H65DF
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube