STGWA19NC60HD
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 52 A
- Pd - рассеивание мощности 208 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия STGWA19NC60HD
- Квалификация -
- Упаковка Tube
