IGD06N60TATMA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combinati
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-252-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 12 A
- Pd - рассеивание мощности 88 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия TRENCHSTOP IGBT
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
