STGD3HF60HDT4
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок DPAK
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.95 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 7.5 A
- Pd - рассеивание мощности 38 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия STGD3HF60HDT4
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
