GT30J121(Q)
- Производитель: Toshiba
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3P
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия GT30J121
- Квалификация -
- Упаковка -
