STGWT30V60DF
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3P
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.35 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
- Pd - рассеивание мощности 258 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия STGWT30V60DF
- Квалификация -
- Упаковка Tube
