STGWA40S120DF3
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
- Pd - рассеивание мощности 468 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия STGWA40S120DF3
- Квалификация -
- Упаковка Tube
